蔡司雙束電鏡Crossbeam系列(FIB-SEM)：專為高通量3D分析和樣品制備量身打造的FIB-SEM

蔡司雙束電鏡Crossbeam系列(FIB-SEM)結(jié)合了高分辨率場發(fā)射掃描電鏡（FE-SEM）的出色成像和分析性能，以及新一代聚焦離子束（FIB）的優(yōu)異加工能力。無論是用于多用戶實驗平臺，還是科研或工業(yè)實驗室， 利用Crossbeam系列模塊化的平臺設(shè)計理念，您可基于自身需求隨時升級儀器系統(tǒng)（例如使用LaserFIB進行大規(guī)模材料加工）。在加工、成像或是實現(xiàn)三維重構(gòu)分析時，Crossbeam系列將大大提升您的聚焦離子束（FIB）應(yīng)用效率。

• 使您的掃描電鏡（SEM）具備強大的洞察力

• 提升您的聚集離子束（FIB）樣品制備效率

• 在您的雙束電鏡（FIB-SEM）分析中體驗出色的三維空間分辨率

（一）、產(chǎn)品優(yōu)勢

1、使您的掃描電鏡具備強大的洞察力

• 通過樣品臺減速技術(shù)（Tandem decel，新型蔡司Gemini電子光學(xué)系統(tǒng)的一項功能）實現(xiàn)低電壓電子束分辨率提升高達30%。

• 使用Gemini電子光學(xué)系統(tǒng)，您可以從高分辨率掃描電鏡（SEM）圖像中獲取真實的樣品信息。

• 在進行高度靈敏表面二維成像或三維斷層成像時，您可以信賴蔡司雙束電鏡Crossbeam系列的性能。

• 即使在使用非常低的加速電壓時也可獲得高分辨率、高對比度和高信噪比的清晰圖像。

• 借助一系列的探測器實現(xiàn)樣品的表征；使用Inlens EsB探測器獲得更純的材料成分襯度。

• 使用低電壓表征不導(dǎo)電樣品，消除荷電效應(yīng)的影響。

配置Gemini光學(xué)系統(tǒng)的蔡司雙束電鏡Crossbeam系列

2、提升您的聚焦離子束（FIB）樣品制備效率

• 得益于智能聚焦離子束（FIB）的掃描策略，移除材料相比以往實驗快40%以上。

• 鎵離子FIB鏡筒Ion-sculptor采用了全新的加工方式：盡可能減少樣品損傷，提升樣品質(zhì)量，從而加快實驗進程。

• 使用高達100 nA的離子束束流，高效而精確地處理樣品，并保持高分辨率。

• 制備TEM樣品時，請使用鎵離子FIB鏡筒Ion-sculptor的低電壓功能：獲得超薄樣品的同時，盡可能降低非晶化損傷。

3、在您的雙束電鏡分析中體驗出色的三維空間分辨率

• 體驗整合的三維能譜和EBSD分析所帶來的優(yōu)勢。

• 在切割、成像或執(zhí)行三維分析時，Crossbeam系列將提升您的FIB應(yīng)用效率。

• 使用快速精準三維成像及分析軟硬件包——Altas 5來擴展您的Crossbeam性能。

• 使用Atlas 5中集成的三維分析模塊可在三維斷層成像過程中進行EDS和EBSD分析。

• 雙束電鏡的斷層成像可獲得優(yōu)異的三維空間分辨率和各向同性的三維體素尺寸；使用Inlens EsB探測器探測小于3 nm的深度，可獲得極表面的材料成分襯度圖像。

• 在加工過程中收集連續(xù)切片圖像以節(jié)省時間；精確的體素尺寸和自動流程保證圖像質(zhì)量。

（二）、蔡司雙束電鏡Crossbeam系列

Crossbeam 350

利用低真空操作，使用可變壓力模式對含有氣體或帶電的樣品進行原位實驗。通過Gemini電子光學(xué)系統(tǒng)和鎵離子FIB鏡筒Ion-sculptor，實現(xiàn)高質(zhì)量成像。

Crossbeam 550

為您進行要求苛刻的材料表征并選擇適合您的樣品尺寸——標(biāo)準尺寸或大尺寸。Gemini 2電子光學(xué)系統(tǒng)即使在低電壓和高束流條件下亦可提供高分辨率。如需在高束流條件下獲得高分辨率圖像以及進行快速分析，這無疑是您的理想之選。

Crossbeam Laser

用于切割大量材料和制備大樣品的儀器——交換艙內(nèi)的飛秒激光助力原位研究，避免了艙室污染，并可配置于Crossbeam 350和550，快速找到深埋結(jié)構(gòu)的入口以及制備要求苛刻的結(jié)構(gòu)（如原子探針樣品）。

Correlative Cryo Workflow（冷凍關(guān)聯(lián)工作流程）

這種用于在冷凍條件下進行TEM薄片制備和體積成像的解決方案能夠?qū)崿F(xiàn)接近原生狀態(tài)的成像。關(guān)聯(lián)寬場顯微鏡、激光共聚焦顯微鏡和雙束電鏡， 同時保持多功能雙束電鏡的靈活性。

（三）、蔡司雙束電鏡Crossbeam系列背后的技術(shù)

1、掃描電鏡電子光學(xué)器件

1） 兩種鏡筒可供選擇

和所有的蔡司場發(fā)射掃描電鏡一樣，蔡司雙束電鏡Crossbeam系列的場發(fā)射掃描電鏡鏡筒基于Gemini電子光學(xué)系統(tǒng)。目前兩款鏡筒：配置Crossbeam 350的Gemini I VP鏡筒和配置Crossbeam 550的Gemini II鏡筒可供您選擇。

場發(fā)射掃描電鏡專為高分辨率成像而設(shè)計，其性能取決于它的電子光學(xué)鏡筒。Gemini技術(shù)支持所有的蔡司場發(fā)射掃描電鏡和雙束電鏡：特別為各種樣品，尤其是低電壓下提供高分辨和高效且操作簡單的探測。

2） Gemini電子光學(xué)系統(tǒng)主要有三個特征

• Gemini物鏡是靜電透鏡和電磁透鏡復(fù)合的電子光學(xué)結(jié)構(gòu)，可大大提升鏡筒的使用效果，面對富有挑戰(zhàn)性的磁性樣品同樣有出色的成像效果。

• Gemini鏡筒配置的電子束加減速技術(shù)，可保證電子束斑尺寸和高信噪比。

• Gemini鏡筒內(nèi)設(shè)置的探測器，可確保信號的高效收集，可同時收集二次電子（SE）和背散射電子（BSE）信號。

3） 從您的雙束電鏡應(yīng)用獲益

• 掃描電鏡電子束對準可長期保持穩(wěn)定，改變探針電流和加速電壓對系統(tǒng)幾乎沒有影響。

• 無磁場泄露的光學(xué)系統(tǒng)可實現(xiàn)大視野無畸變高分辨成像。

• 樣品傾斜轉(zhuǎn)動時不影響電子光學(xué)系統(tǒng)的表現(xiàn)。

4） 帶Gemini I VP的蔡司Crossbeam 350

• 更廣的樣品和環(huán)境適用性

• 放氣或者荷電樣品原位實驗的可行性

• 利用Inlens EsB探測器實現(xiàn)材料成分襯度

5） 帶Gemini II的蔡司Crossbeam 550

• 基于雙聚光鏡系統(tǒng)，在低電壓大束流下依然可以獲得高分辨圖像

• 通過高分辨成像及快速分析技術(shù)可在短時間內(nèi)獲得更多信息

• 使用Inlens SE和EsB探測器實現(xiàn)形貌及成分襯度同時成像

2、Gemini新型光學(xué)系統(tǒng)

得益于高度靈敏的表面成像分析

在低著陸能量下獲取高分辨圖像已經(jīng)成為SEM應(yīng)用的標(biāo)準。本質(zhì)上因為：

• 光束敏感樣品

• 非導(dǎo)電材料

• 獲得真實樣品表面信息，而不受樣品更深層背景信號的干擾

Gemini電子光學(xué)結(jié)構(gòu)優(yōu)化低電壓和超低電壓的分辨率并且增強了襯度。
其技術(shù)特點為使用高分辨率電子槍模式和可選的樣品臺減速技術(shù)（Tandem decel）。

• 高分辨率電子槍模式通過將電子束最初能量色散降低30%，令電子束色差盡可能降低。

樣品臺減速技術(shù)現(xiàn)配置給蔡司Crossbeam350/550，可以在兩種不同的模式下使用：

• 樣品臺減速技術(shù)（Tandem decel）采用兩步式電子束減速模式，它結(jié)合了電子束推進器技術(shù)和對樣品施加的高負偏壓，使入射束的電子減速，進而有效降低著陸電壓。

• 施加50V到100V之間的可變負偏壓，一種應(yīng)用模式可增強您圖像的對比度。

• 施加1kV到5kV之間的負偏壓，提高您圖像的低加速電壓分辨率。

樣品臺減速技術(shù)可選樣品偏壓高達5 kV，進一步提高了低電壓下的出色成像能力

3、雙束電鏡技術(shù)

發(fā)現(xiàn)一種新的聚焦離子束（FIB）處理方式

鎵離子FIB鏡筒Ion-sculptor 可在不影響加工精度的情況下加快您的FIB工作進程，并讓您受益于其對任何樣品的低電壓性能。

蔡司Crossbeam產(chǎn)品系列配有新一代的鎵離子FIB鏡筒——Ion-sculptor，具有可實現(xiàn)高通量的高電流以及用于高樣品質(zhì)量的出色低電壓性能。

• 充分利用鎵離子FIB鏡筒Ion-sculptor在低電壓下的出色性能來提升樣品質(zhì)量。

• 盡可能減少您樣品的非晶化并使您在減薄后獲得出色結(jié)果。

• 產(chǎn)品具備全面穩(wěn)定性，確保您獲得精準且可重復(fù)的結(jié)果。

• 通過快速探頭電流交換加速您的FIB應(yīng)用。

• 借助高達100 nA的電子束流可進行高通量實驗。

• 實現(xiàn)小于3 nm的出色的FIB分辨率。

• Crossbeam產(chǎn)品系列配有用于長期實驗的自動FIB發(fā)射恢復(fù)功能。

蔡司雙束電鏡Crossbeam 550配有Gemini II鏡筒，包括雙聚光鏡和兩個Inlens探測器以及一個以54°傾斜角度裝置的FIB鏡筒